蓝色发光二极管发明者三杰之一-中村修二博士

       中村修二，（生于1954年5月22日，爱媛县，日本），日本出生的美国材料科学家谁被授予2014年诺贝尔物理学奖在物理学的发明了蓝色发光二极管（LED）。他与日本材料科学家赤崎勇和天野浩分享了奖项。

中村修二博士

        中村修二获得了德岛大学的电子工程学士学位（1977年）和硕士学位（1979年）。1979年，他前往德岛的一家名为日亚化学的小公司工作。他最初的工作在不断增长镓 磷化物和镓砷化物 晶体 LED的。然而，这些产品的销售证明令人失望，因为日亚正在与更大的竞争对手竞争。在20世纪80年代中期，日亚决定生产完整的LED。中村修二自学了生产高质量红色和红外 LED 的必要技术，但那些也没有商业上的成功。

停车场用投光灯,泛光灯

        中村修二认为，日亚必须开发出一种不会与其他大公司竞争的产品。那个产品将是蓝色LED。科学家已经生产出发出红光或绿光的LED，但是尝试制造蓝光LED并不成功。如果开发出来，蓝色LED可以与红色和绿色LED组合产生白光，而成本仅为白炽灯和荧光灯的一小部分。中村修二的上司注意到蓝光LED数十年来一直受到研究人员追捧，但是由于资金短缺而垂头丧气。1988年，中村修二直接去找日亚的CEO Ogawa Nobuo，要求提供超过300万美元（美元）的资金，并在佛罗里达大学获得一年的资助。盖恩斯维尔，学习金属有机化学气相沉积，以生产蓝色LED的半导体。令中村修二出人意料的是，Ogawa接受了他的要求。

停车场用投光灯,泛光灯实景图

        在1989年从佛罗里达州返回后，中村修二决定使用氮化镓（GaN）作为蓝光LED的材料，这主要是因为其他大多数研究人员都使用了更容易使用的硒化锌。高品质的GaN晶体很提取。此外，在LED中，当电流流过p - n结（p型和n型半导体之间的界面）时，发光，并且没有人能够产生p型GaN。中村修二在1990年解决了第一个问题，即在低温下提取GaN晶体层，然后在更高温度下生成额外的GaN层。1992年，他成功地提取为p型GaN。（同时独立工作的有Akasaki和Amano使用不同的技术开发蓝色LED。）

洗墙灯,景观灯,投光灯

        1994年，中村修二获得了德岛大学的工程博士学位。然后，他致力于使用GaN生产蓝色激光二极管。1995年他获得了成功，四年后日亚开始销售蓝色激光二极管。

        中村修二离开日亚。同时日亚要求中村修二签署一份保密协议，让他不能从事LED相关工作。加州大学建议中村修二不要签名，日亚起诉他违规泄露商业秘密，中村修二在2001年抗议200亿日元（1.93亿美元）的蓝色LED特许权使用费。（在此之前，中村修二只因他的发明获得了2万日元[180美元]奖励）虽然他在2004年赢得了诉讼，但是日亚的上诉使他减少到8.4亿日元（810万美元）.中村修二对此结果不满意。该诉讼影响重大，成了日本知识产权法改进的一个里程碑。